[发明专利]一种抗强电磁干扰的基准电压源

权利要求书

1.一种抗强电磁干扰的基准电压源，其特征在于，其包括MOS管M1至M12，电容C1至C3，基准电压输出端口Vref；

MOS管M10、MOS管M11及MOS管M12连接并构成启动电路；

MOS管M4至M9，电容C2共同构成偏置补偿电路；

电容C1及电容C3用于屏蔽外界强电磁干扰；

MOS管M1与MOS管M2以自级联方式连接，并与MOS管M4和MOS管M5共同构成基准电压源核心电路。

2.根据权利要求1所述一种抗强电磁干扰的基准电压源，其特征在于，MOS管M3的源极连接电源VDD，MOS管M3的栅极连接MOS管M6的栅极，MOS管M3的漏极连接MOS管M2的漏极；

MOS管M2的漏极连接MOS管M2的栅极，MOS管M2的栅极连接基准电压输出端口Vref，MOS管M2的源极连接MOS管M1的漏极；

MOS管M1的漏极连接MOS管M4的源极，MOS管M1的栅极连接MOS管M2的栅极，MOS管M1的源极接地；

电容C1的上端连接基准电压输出端口Vref，电容C1的下端接地；

MOS管M6的源极连接电源VDD，MOS管M6的栅极连接MOS管M7的栅极，MOS管M6的漏极连接MOS管M4的漏极；

MOS管M4的栅极连接MOS管M4的漏极，MOS管M4的源极连接MOS管M2的源极；

MOS管M7的源极连接MOS管M6的源极，MOS管M7的栅极连接MOS管M3的栅极，MOS管M7的漏极连接MOS管M5的漏极；

MOS管M5的栅极连接MOS管M4的栅极，MOS管M5的源极接地；

电容C2的上端连接MOS管M5的漏极，电容C2的下端接地；

MOS管M8的源极连接电源VDD，MOS管M8的栅极连接MOS管M7的栅极，MOS管M8的漏极连接MOS管M9的漏极；

MOS管M9的栅极连接电容C2的上端，MOS管M9的源极接地；

电容C3的上端连接电源VDD，电容C3的下端连接MOS管M3的栅极；

MOS管M10的漏极连接MOS管M9的漏极，MOS管M10的栅极连接MOS管M11的漏极，MOS管M10的源极接地；

MOS管M12的源极连接电源VDD，MOS管M12的栅极接地，MOS管M12的漏极连接MOS管M11的漏极；

MOS管M11的栅极连接MOS管M4的漏极，MOS管M11的源极接地。