[发明专利]光学介质薄膜、Al2O3、含硅薄膜、激光器腔面膜的制备方法有效
申请号: | 201710422047.0 | 申请日: | 2017-06-06 |
公开(公告)号: | CN107254667A | 公开(公告)日: | 2017-10-17 |
发明(设计)人: | 谢圣文;张宇;廖永平;牛智川 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | C23C14/30 | 分类号: | C23C14/30;C23C14/46;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/06;H01S3/08 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种光学介质薄膜、Al2O3、含硅薄膜、激光器腔面膜的制备方法,其中,光学介质薄膜的制备方法包括:将衬底放置在电子束蒸发设备的腔室中,抽真空;采用离化的氩气和氮气在高能电场下轰击衬底表面;高能电子分批次轰击光学介质的靶材,对光学介质粒子分步预熔;在衬底上沉积所述光学介质粒子,完成光学介质薄膜的制备。本发明的制备方法无需退火过程,避免了退火过程中对光学介质薄膜光学和机械性能等的影响,从而得到高质量的光学介质薄膜,为各种增透膜和高反膜的制备奠定基础。 | ||
搜索关键词: | 光学 介质 薄膜 al2o3 激光器 面膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种光学介质薄膜的制备方法,包括以下步骤:步骤1、将衬底放置在电子束蒸发设备的腔室中,抽真空;步骤2、采用离化的氩气和氮气在高能电场下轰击所述衬底表面;步骤3、高能电子分批次轰击所述光学介质的靶材,对所述光学介质粒子分步预熔;步骤4、在所述衬底上沉积所述光学介质粒子,完成所述光学介质薄膜的制备。
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