[发明专利]一种水听器及其制造工艺有效
申请号: | 201710420511.2 | 申请日: | 2017-06-06 |
公开(公告)号: | CN107438213B | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 赵晓宏;林挺宇;俞学东;罗九斌 | 申请(专利权)人: | 纽威仕微电子(无锡)有限公司 |
主分类号: | H04R1/44 | 分类号: | H04R1/44 |
代理公司: | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人: | 顾吉云 |
地址: | 214000 江苏省无锡市蠡园经*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种水听器,其体积较小,容易制成大规模阵列,灵敏度高,线性度好,具有超高的噪声分辨率,包括ASIC晶圆和传感器晶圆,ASIC晶圆包括ASIC电路层和硅衬底层,硅衬底层上形成柱状凸起,传感器晶圆包括硅支撑层,硅衬底层朝上与硅支撑层的下表面真空键合形成空腔,硅支撑层的上表面上形成为上金属导电层、压电材料层、下金属导电层的复合层,上金属导电层和下金属导电层分别向外延伸形成上延伸部和下延伸部,复合层包裹在钝化层中且上金属导电层上端设有与环境声学连通的声进入开口,还包括TSV通孔,TSV通孔上端连接上延伸部和下延伸部,TSV通孔的下端连接焊球,此外,本发明还提供了一种水听器的制造工艺。 | ||
搜索关键词: | 一种 水听器 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】:
一种水听器,其特征在于:包括ASIC晶圆和传感器晶圆,所述ASIC晶圆包括ASIC电路层和硅衬底层,所述硅衬底层上设有凹槽,在所述凹槽内通过刻蚀形成柱状凸起,传感器晶圆包括硅支撑层,所述硅衬底层朝上与硅支撑层的下表面真空键合形成空腔,所述硅支撑层的上表面上形成自上至下分别为上金属导电层、压电材料层、下金属导电层的复合层,所述上金属导电层和所述下金属导电层分别向外延伸形成上延伸部和下延伸部,所述复合层包裹在钝化层中且所述上金属导电层上端设有与环境声学连通的声进入开口,其还包括分别垂直穿过所述硅支撑层和所述ASIC晶圆设置的TSV通孔,所述TSV通孔的上端分别连接所述上延伸部和所述下延伸部,所述TSV通孔的下端连接生长在所述ASIC晶圆的正面下的焊球。
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