[发明专利]检测晶圆缺陷的装置及方法在审
申请号: | 201710419817.6 | 申请日: | 2017-06-06 |
公开(公告)号: | CN107144574A | 公开(公告)日: | 2017-09-08 |
发明(设计)人: | 李秀山;朱建华;黄寒寒;施威;周文龙 | 申请(专利权)人: | 深圳振华富电子有限公司;中国振华(集团)科技股份有限公司 |
主分类号: | G01N21/88 | 分类号: | G01N21/88;G01N21/95;G01N21/66 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 王宁 |
地址: | 518109 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种检测晶圆缺陷的装置及方法。一种检测晶圆缺陷的装置包括P面电极、透明导电薄膜、电源、图像采集装置及缺陷鉴别模块;P面电极设于晶圆的P面并作为端;透明导电薄膜设于晶圆的N面并作为负极端;电源与正极端和负极端连接,以给晶圆通电;图像采集装置用于采集晶圆的有源区图像;缺陷鉴别模块用于获取晶圆在磨抛工艺之前有源区图像,并与图像采集系统采集的有源区图像进行对比,以识别出磨抛工艺引入的有源区缺陷。上述检测晶圆缺陷的装置利用电源给晶圆注入电流时,图像采集系统在其N面衬底表面采集其有源区图像,缺陷鉴别模块根据磨抛前后晶圆有源区的图像识别出缺陷的位置。 | ||
搜索关键词: | 检测 缺陷 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种检测晶圆缺陷的装置;其特征在于,包括:P面电极,所述P面电极用于设置在所述晶圆的P面表面,作为正极端;透明导电薄膜,所述透明导电薄膜用于设置在晶圆的N面表面,作为负极端;电源,所述电源分别与所述正极端和负极端连接;所述电源通过所述正极端和所述负极端给所述晶圆通电,以使得所述晶圆发光;图像采集系统,所述图像采集系统位于所述透明导电薄膜的远离所述晶圆的一侧;所述图像采集系统用于接收所述晶圆发出的光场以采集所述晶圆的有源区图像;缺陷鉴别模块,所述缺陷鉴别模块用于获取所述晶圆在磨抛工艺之前有源区图像,并与所述图像采集系统采集的有源区图像进行对比,以识别出磨抛工艺引入的有源区缺陷。
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