[发明专利]一种霍山石斛的石栽技术

摘要

本发明涉及霍山石斛种植技术领域，公开了一种霍山石斛的石栽技术，包括以下步骤1）种子的选择选取颗粒饱满的霍山石斛种子，种子表面无损伤、无干瘪等损坏问题；2）种子的贮藏将步骤1）中选好的种子放置在‑5℃至‑10℃的低温环境中贮藏，贮藏时间不应超过15天；3）种子的解冻将贮藏的种子使用快速化冻机进行快速化冻处理，化冻时间为3‑5分钟，化冻好的种子以待备用。该霍山石斛的石栽技术，通过将霍山石斛种植在石山山坡的北面，种植场地的林木平均高度在4‑6米以上，保证了霍山石斛可以利用林木枝叶适当的遮阴效果保证了霍山石斛在生长过程中的保水性以及通风透气性，从而大大提高了该霍山石斛的石栽技术良好的栽培效果。

主权项

一种霍山石斛的石栽技术，其特征在于，包括以下步骤：1）种子的选择：选取颗粒饱满的霍山石斛种子，种子表面无损伤、无干瘪等损坏问题；2）种子的贮藏：将步骤1）中选好的种子放置在‑5℃至‑10℃的低温环境中贮藏，贮藏时间不应超过15天；3）种子的解冻：将贮藏的种子使用快速化冻机进行快速化冻处理，化冻时间为3‑5分钟，化冻好的种子以待备用；4）种植区域选择：选取石灰岩含量较高的石山作为种植场地，种植区域的坡度范围在20°‑30°，种植区域位于石山山坡的北面，种植场地的林木平均高度在4‑6米以上，林间透光率为40％‑45％，林隙栽植处遮阴度在55％‑65％；5）种植时间选择；栽培时间宜选择在每年的4‑6月份；6）开凿种植孔：在石山山坡的表面每隔0.1‑0.15米的距离使用钻头直径为3‑5厘米的冲击钻开凿一个深度为10厘米的种植孔；7）开挖排水渠：在步骤6）开凿好的种植孔的两侧开挖一个宽度为20‑30厘米的排水渠；8）栽培基质选取以及使用：按照以下重量份数配比的原料：40份碎石、30份有机肥以及30份松树树皮，使用搅拌机对以上原料进行搅拌混合后，放入至已经开凿好的种植孔内；9）种子栽培处理：将化冻好的种子放置在栽培基质上，然后在种子的上方平铺一层厚度约为3‑5毫米的栽培基质；10）日常栽培处理：每隔一周对种植孔进行施肥处理，同时每天采用自动或者人工方式浇足水，每天使用喷灌设备对种子进行一次喷灌处理。