[发明专利]增强薄膜太阳电池光子吸收效率的方法以及薄膜太阳电池结构

摘要

本发明涉及一种提高薄膜太阳电池光子吸收效率的方法，具体步骤如下1取一薄膜太阳电池所用的外延片，对外延片进行清洗；2在电池的背表面热蒸发导电极；3在导电极层上面外延沉积一层二氧化硅层；4在二氧化硅外延层上悬涂光刻胶；5对光刻胶进行前烘，形成样品；6在光刻胶上制作二维光子晶体掩膜图形；7对形成掩膜图形的样品进行后烘；8对烘好的样品进行干法刻蚀，将光刻胶上光子晶体图形转移至二氧化硅上；9去除掩膜胶；10在制作好光子晶体图形的衬底上沉积硅材料，填充光子晶体孔洞；11采用PECVD沉积工艺交替沉积若干层Si/SiO 2薄膜层，制作分布布拉格反射层(DBR)，完成光子晶体陷光结构制作。

主权项

增强薄膜太阳电池光子吸收效率的方法，其步骤如下：步骤1：取一薄膜太阳电池所用的外延片，对外延片进行清洗；步骤2：在电池的背表面热蒸发导电极；步骤3：在导电极层上面外延沉积一层二氧化硅层；步骤4：在二氧化硅外延层上悬涂光刻胶；步骤5：对光刻胶进行前烘，形成样品；步骤6：在光刻胶上制作二维光子晶体掩膜图形；步骤7：对形成掩膜图形的样品进行后烘；步骤8：对烘好的样品进行干法刻蚀，将光刻胶上光子晶体图形转移至二氧化硅上；步骤9：去除掩膜胶；步骤10：在制作好光子晶体图形的衬底上沉积硅材料，填充光子晶体孔洞；步骤11：采用PECVD沉积工艺交替沉积若干层Si/SiO 2薄膜层，制作分布布拉格反射层(DBR)，完成光子晶体陷光结构制作。