[发明专利]移位寄存器和显示装置以及其驱动方法有效
| 申请号： | 201710387196.8 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN107180608B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 小山润 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G09G3/3208 | 分类号： | G09G3/3208;G09G3/36;G11C19/28 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 程晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及移位寄存器和显示装置以及其驱动方法。移位寄存器或者包含该移位寄存器的显示装置的功率消耗被降低。时钟信号由多条布线，而不是由一条布线来供应给移位寄存器。该多条布线中的任一条仅在移位寄存器的操作时段的部分时间内，而不是在移位寄存器的整个操作时段内供应时钟信号。因此，由供应时钟信号所引起的容量负载能够得以降低，从而使得移位寄存器的功率消耗降低。 | ||
| 搜索关键词： | 移位寄存器 显示装置 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
一种显示装置，包括驱动电路，所述驱动电路包括移位寄存器，所述移位寄存器包括晶体管，所述晶体管包括：在基板之上的第一栅极电极；在所述第一栅极电极之上的第一绝缘层；氧化物半导体层，包括在所述第一绝缘层之上的沟道形成区域；在所述氧化物半导体层之上的第二绝缘层；以及在所述第二绝缘层之上的第二栅极电极，其中，所述第一栅极电极在所述晶体管的沟道宽度方向上延伸超过所述氧化物半导体层的侧边缘，以及其中，所述第二栅极电极在所述晶体管的所述沟道宽度方向上延伸超过所述氧化物半导体层的所述侧边缘。
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