[发明专利]相变存储器在审
| 申请号： | 201710378936.1 | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN108933195A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 侯纪伟;袁之泉;刘锴;柳鹏;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种相变存储器，其包括：至少一加热层及至少一相变层，该相变层与所述加热层一一对应设置，该加热层用于加热所述相变层，使该相变层达到相变温度，所述相变层的材料包括二氧化钒。 | ||
| 搜索关键词： | 加热层 相变存储器 一一对应设置 二氧化钒 加热 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器，其包括：至少一加热层及至少一相变层，该相变层与所述加热层一一对应设置，该加热层用于加热所述相变层，使该相变层达到相变温度，所述相变层的材料包括二氧化钒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司，未经清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710378936.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
