[发明专利]相变存储器

权利要求书

1.一种相变存储器，其包括：至少一加热层及至少一相变层，该相变层与所述加热层一一对应设置，该加热层用于加热所述相变层，使该相变层达到相变温度，所述相变层的材料包括二氧化钒。

2.如权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，当所述加热层为多个时，进一步包括多个第一行电极，该多个第一行电极相互平行且间隔设置；多个第一列电极，该多个第一列电极相互平行且间隔设置，所述多个第一列电极与多个第一行电极相互交叉且绝缘设置，相邻的两个第一行电极与相邻的两个第一列电极形成一第一网格；每个第一网格内对应设置一加热层，该加热层相对的两端分别与所述第一行电极、第一列电极电连接。

3.如权利要求2所述的相变存储器，其特征在于，所述加热层为一碳纳米管结构。

4.如权利要求3所述的相变存储器，其特征在于，所述碳纳米管结构包括碳纳米管膜、碳纳米管线或碳纳米管膜与碳纳米管线的组合。

5.如权利要求4所述的相变存储器，其特征在于，所述碳纳米管膜包括碳纳米管拉膜、碳纳米管碾压膜或碳纳米管絮化膜。

6.如权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述相变层的材料由二氧化钒掺杂金属构成。

7.如权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述掺杂金属为钨、铌、铝、铬中的任意一种。

8.如权利要求2所述的相变存储器，其特征在于，当所述相变层为多个时，进一步包括多个第二行电极，该多个第二行电极相互平行且间隔设置；多个第二列电极，该多个第二列电极相互平行且间隔设置，所述多个第二列电极与多个第二行电极相互交叉且绝缘设置，相邻的两个第二行电极与相邻的两个第二列电极形成一第二网格；所述多个相变层分别一一设置于所述第二网格，每个相变层分别与所述第二行电极和第二列电极电连接。

9.如权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，向所述相变层输入多次电信号时，该相变层的总电阻值发生多次变化，每个电阻值对应一个数据，从而写入多个数据。

10.如权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述加热层停止加热所述相变层时，该相变层的数据被擦除。