[发明专利]基于韦根传感器的多圈计数方法及多圈计数装置有效

专利信息
申请号: 201710375105.9 申请日: 2017-05-24
公开(公告)号: CN107168160B 公开(公告)日: 2019-04-26
发明(设计)人: 陈建国;肖宇年;杜昭辉;杨艺榕 申请(专利权)人: 广东盈动高科自动化有限公司;东莞盈动机电科技有限公司
主分类号: G05B19/042 分类号: G05B19/042
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 舒丁
地址: 523808 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种基于韦根传感器的多圈计数方法及多圈计数装置,用于根据设置在电机内的多圈计数装置所产生的信号,判断电机中转子的转动方向及转动圈数,所述电机转子作为待测装置;所述多圈计数装置包括感应组件、连接所述感应组件的转换模块、连接所述转换模块的MCU模块、及连接所述MCU模块的编码器;所述感应组件包括第一韦根传感器、第二韦根传感器、承载轴及磁铁组件;所述基于韦根传感器的多圈计数方法包括多个步骤进行计数。本发明的基于韦根传感器的多圈计数方法通过判断所述分析所述MCU模块触发信号来源的次序变化,可靠判断所述待测装置的正反转变化及转动圈数,并简化了编码装置硬件基础。
搜索关键词: 基于 传感器 计数 方法 装置
【主权项】:
1.一种基于韦根传感器的多圈计数方法,用于根据设置在电机内的多圈计数装置所产生的信号,判断电机中转子的转动方向及转动圈数,所述电机转子作为待测装置;所述多圈计数装置包括感应组件、连接所述感应组件的转换模块、连接所述转换模块的MCU模块、及连接所述MCU模块的编码器;所述感应组件包括第一韦根传感器、第二韦根传感器、承载轴及磁铁组件;所述磁铁组件固定在所述承载轴表面;所述承载轴与所述待测装置同轴;所述磁铁组件包括正置磁铁及反置磁铁;所述第一韦根传感器在靠近所述正置磁铁及反置磁铁时,分压模块分别输出第一传感器正脉冲及第一传感器负脉冲;所述第二韦根传感器在靠近所述正置磁铁及反置磁铁时,分压模块分别输出第二传感器正脉冲及第二传感器负脉冲;所述MCU模块设有第一信号端、第二信号端、第三信号端及第四信号端;所述转换模块根据所述第一传感器正脉冲、第一传感器负脉冲、第二传感器正脉冲及第二传感器负脉冲的产生而分别向所述MCU模块的第一信号端、第二信号端、第三信号端及第四信号端发送触发信号;所述MCU模块中设有若干存储单元;所述MCU模块中的存储单元包括存储单元Trigged0、存储单元Trigged1、存储单元Trigged2、存储单元Dir及存储单元Counter;所述存储单元Trigged0记录当前触发信号的来源,所述存储单元Trigged1记录前一个触发信号的来源,所述存储单元Trigged2记录再前一个触发信号的来源;所述存储单元Trigged0、存储单元Trigged1及存储单元Trigged2的记录值根据所述MCU模块的触发信号来源而被设为W1p、W1n、W2p及W2n;所述存储单元Dir用于记录所述待测装置的转动方向;所述存储单元Dir分别以记录值RW、FW代表待所述测装置的反转、正转;所述存储单元Counter用于记录所述待测装置的转动圈数;其特征在于,所述基于韦根传感器的多圈计数方法包括如下步骤:S10:当所述MCU模块接收到触发信号时,判断所述存储单元Trigged0的记录值是否为W1p;若判断结果为是,则进入步骤S20;若判断结果为否,则等待所述MCU模块接收到下一个触发信号后,重新步骤S10;S20:判断所述存储单元Dir的记录值是否为FW,即判断所述待测装置在之前是否被确定为进行正转;若判断结果为否,则进入步骤S30;若判断结果为是,则进入步骤S40;S30:判断所述存储单元Trigged1的记录值是否为W2p,即判断所述MCU模块接收到的上一个触发信号是否来自所述MCU模块的第三信号端;若判断结果为是,则进入步骤S31;若判断结果为否,则进入步骤S50;S31:将所述存储单元Dir的记录值设为RW,将所述存储单元Counter的记录值减1,完成后进入步骤S10;S40:判断所述存储单元Trigged1的记录值是否为W2n,即判断所述MCU模块接收到的上一个触发信号是否来自所述MCU模块的第四信号端;若判断结果为是,则进入步骤S41;若判断结果为否,则进入步骤S60;S41:将所述存储单元Dir的记录值设为FW,将所述存储单元Counter的记录值加1,完成后进入步骤S10;S50:判断所述存储单元Trigged1的记录值是否为W2n,且所述存储单元Trigged2的记录值是否为W1n,若判断结果为是,则进入步骤S52;若判断结果为否,则进入步骤S51;S51:将所述存储单元Dir的记录值设为FW,将所述存储单元Counter的记录值在原数值上加1,完成后进入步骤S10;S52:将所述存储单元Dir的记录值设为FW,将所述存储单元Counter的记录值在原数值上加2,完成后进入步骤S10;S60:判断所述存储单元Trigged1的记录值是否为W2p,且所述存储单元Trigged2的记录值是否为W1n,若判断结果为是,则进入步骤S62;若判断结果为否,则进入步骤S61;S61:将所述存储单元Dir的记录值设为FW,将所述存储单元Counter的记录值在原数值上减1,完成后进入步骤S10;S62:将所述存储单元Dir的记录值设为RW,将所述存储单元Counter的记录值在原数值上减2,完成后进入步骤S10。
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