[发明专利]互连结构及互连结构的制造方法有效
| 申请号： | 201710374681.1 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108933100B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/498 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种互连结构及其制造方法，在金属互连结构表面上的非金属化合物层和未掺杂的第二金属化合物层之间增加一掺杂的第一金属化合物层，例如掺硅的氮化铝层，以此增强非金属化合物层和未掺杂的金属化合物层之间粘附力，进而阻挡互连结构中的金属扩散现象，避免在形成所述各个层的过程中出现位于所述金属互连结构层顶部的小丘状凸起，获得较低的线电阻和良好的电迁移性能，提高互连结构的可靠性，进而提高整个集成电路可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种互连结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供表面上具有金属互连结构和介质层的半导体衬底，所述金属互连结构位于所述介质层的开口中，且所述金属互连结构的上表面不低于所述介质层的上表面；在所述金属互连结构和所述介质层的表面上形成非金属化合物层；在所述非金属化合物层表面上形成掺杂的第一金属化合物层；在所述掺杂的第一金属化合物层表面上形成未掺杂的第二金属化合物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
