[发明专利]垂直场效应晶体管有效
| 申请号： | 201710368551.7 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107452802B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 姜明吉;朴乘汉;朴容喜;白尚训;李相遇;千健龙;黄成万 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明如下提供了一种垂直场效应晶体管。衬底具有沿着平行于衬底的上表面的第一方向布置的下部漏极和下部源极。鳍片结构安置于衬底上，并且从衬底的上表面垂直地延伸。鳍片结构包含沿着第一方向布置的第一端部和第二端部。鳍片结构的第一端部的底部表面和鳍片结构的第二端部的底部表面分别与下部漏极和下部源极重叠。鳍片结构包含具有下部侧壁区域、中心侧壁区域和上部侧壁区域的侧壁。栅极电极围绕鳍片结构的中心侧壁区域。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种垂直场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底，其具有沿着平行于所述衬底的上表面的第一方向布置的下部漏极以及下部源极；鳍片结构，其安置于所述衬底上，并且从所述衬底的所述上表面垂直地延伸，其中所述鳍片结构包含沿着所述第一方向布置的第一端部以及第二端部，其中所述鳍片结构的第一端部的底部表面以及所述鳍片结构的第二端部的底部表面分别与所述下部漏极以及所述下部源极重叠，并且其中所述鳍片结构包含具有下部侧壁区域、中心侧壁区域以及上部侧壁区域的侧壁；以及栅极电极，其围绕所述鳍片结构的所述中心侧壁区域。
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