[发明专利]包括二维材料的相变存储器件、操作其的方法和相变层在审
| 申请号： | 201710362544.6 | 申请日： | 2017-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN107768517A | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 李珉贤;南胜杰;金昌炫;申铉振;赵连柱;许镇盛;朴晟准 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开包括二维材料的相变存储器件、操作其的方法和相变层。所述相变存储器件可包括包含二维(2D)材料的相变层。所述相变层可包括包含一个或多个2D材料层的层状结构。所述相变层可提供在第一电极和第二电极之间，并且所述2D材料层的一个或多个的至少一部分的相可基于通过所述第一电极和所述第二电极施加到所述相变层的电信号而改变。所述2D材料可包括基于硫属化物的材料或磷烯。所述2D材料可具有大于或等于约200℃且低于或等于约500℃的相变温度。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 二维 材料 相变 存储 器件 操作 方法 | ||
【主权项】：
相变存储器件，包括：第一电极；第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间的相变层，所述相变层包括至少一个二维材料层的层状结构，所述至少一个二维材料层配置成基于通过所述第一电极和所述第二电极施加到所述相变层的电信号至少部分地改变相。
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