[发明专利]基于横向结构LED及其制备方法有效
| 申请号： | 201710347693.5 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107248540B | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 刘晶晶 | 申请（专利权）人： | 厦门科锐捷半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361021 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于横向结构LED及其制备方法。其中，所述制备方法包括：选取SOI衬底；采用CVD工艺依次在所述SOI衬底生长Ge籽晶层、Ge主体层和氧化层；采用LRC工艺晶化所述Ge籽晶层和所述Ge主体层形成晶化后的Ge外延层；采用干法刻蚀工艺刻蚀所述氧化层；在晶化后的所述Ge外延层表面生长GeSn层；制备N型Ge区域和P型Ge区域；制作金属接触电极以完成所述横向结构LED的制备；本发明采用激光再晶化工艺，在SOI衬底上制备位错密度低Ge外延层，并制备高质量直接带隙GeSn层，然后实现一种p+‑Ge/直接带隙GeSn/n+‑Ge的横向结构LED及其制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 横向 结构 led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于横向结构LED的制备方法，其特征在于，包括：(a)选取SOI衬底；(b)采用CVD工艺依次在所述SOI衬底生长Ge籽晶层、Ge主体层和氧化层；(c)采用激光再晶化工艺晶化所述Ge籽晶层和所述Ge主体层形成晶化后的Ge外延层；(d)采用干法刻蚀工艺刻蚀所述氧化层；(e)在晶化后的所述Ge外延层表面生长GeSn层；(f)在所述Ge外延层分别注入P离子和B离子形成N型Ge区域和P型Ge区域；(g)制备金属接触电极以完成所述横向结构LED的制备。
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