[发明专利]一种G6型高效多晶自喷坩埚的喷涂工艺

摘要

本发明公开了一种G6型高效多晶自喷坩埚的喷涂工艺，包括如下步骤坩埚检查——坩埚加热——配粉——搅拌——试喷——喷涂——冷却。本发明中的坩埚喷涂用纯水和硅胶把粉末喷料氮化硅涂喷在坩埚表面，在加热作用下，使液态氮化硅均匀的吸附坩埚表面，形成粉状涂层，涂层目的是保护石英坩埚在高温下石英坩埚与硅隔离，使液态硅不与石英坩埚反应，而使石英坩埚破裂，及冷确后最终保证硅碇脱膜完整性。

主权项

一种G6型高效多晶自喷坩埚的喷涂工艺，其特征在于：包括如下步骤：坩埚检查——坩埚加热——配粉——搅拌——试喷——喷涂——冷却；所述坩埚加热中：坩埚加热温度恒定在84‑86℃；所述配粉中：按质量的配比配置如下种类的物品：氮化硅粉为650‑850份，DI水用量为1900‑2100份，硅溶胶为200‑300份；所述搅拌：用量杯量取配粉步骤中规定容积的DI水和硅溶胶进行搅拌，搅拌速度为500‑600转/min，搅拌时间为7‑9min，搅拌均匀；然后加入配粉步骤中规定重量的氮化硅粉，以同样的速度搅拌14‑16min；所述试喷：喷枪压力范围是33psi‑37psi，先在纸板上试喷，当喷射的液体在纸板上呈均匀雾状分布，宽度在3‑5cm，表明喷枪可以用于正式喷涂；所述喷涂：喷枪离距所需的喷涂表面垂直距离为30‑40cm，定位着落坩埚宽度为15‑20cm，通过横竖交叉状态均匀喷涂，待底层干后方再喷涂第二遍，底部喷涂5遍，坩埚高度440mm往上不需要喷涂，在喷涂过程中一次喷涂厚度控制在小于0.01mm内，坩埚喷涂温度在40℃‑65℃。