[发明专利]一种基于GT‑850HP多晶硅低能耗高效双控温铸锭工艺

摘要

本发明公开了一种基于GT‑850HP多晶硅低能耗高效双控温铸锭工艺，包括如下步骤抽真空——加热——熔化——熔化结束——长晶——中心长晶———边角长晶——退火——冷却——出炉。本发明通过控制两个加热器的功率比例来控制硅料的熔融速度，形成均匀的硅料熔融界面，形成稳定的熔融温度热场分布，使得坩埚四周的硅料的熔化速率与坩埚中心保持一致，形成稳定的熔融热场，通过提升隔热笼及与侧壁和顶部加热器的配合，形成可控垂直温度梯度分布，有效控制硅料结晶的速度，形成对硅料平均晶体尺寸的工艺控制。

主权项

一种基于GT‑850HP多晶硅低能耗高效双控温铸锭工艺，其特征在于：包括如下步骤：抽真空——加热——熔化——熔化结束——长晶——中心长晶———边角长晶——退火——冷却——出炉；所述加热中：控制顶侧功率比为45.0‑50.0，隔热笼位置为‑0.3‑0；所述熔化中：控制温度为1535‑1547，进气设定39.0，顶侧功率比为60.0‑80.0，隔热笼位置为2.5‑5.5；所述长晶中：控制温度为1406‑1410，进气设定30.0或39.0，顶侧功率比为40.0‑60.0，隔热笼位置为7.0‑17.0；所述退火中：控制功率设定1.0‑20.0，顶侧功率比为55.0，隔热笼位置为6.0；所述冷却中：控制隔热笼位置为10.0‑34.0。