[发明专利]电场分布均匀的硅掺磷阻挡杂质带探测器及其制作方法

摘要

本发明提供了一种电场分布均匀的硅掺磷阻挡杂质带探测器及其制作方法，所述探测器包括高导硅衬底，所述高导硅衬底上包括环形凹槽区域、台面结构区域和外围区域，所示台面结构区域设置在环形凹槽区域中间，所示外围区域设置在环形凹槽区域外侧；所述环形凹槽区域内设置有环形负电极，台面结构区域的表面设置有圆形正电极。本发明将圆形正电极制备在台面结构区域，环形负电极制备在环形凹槽区域，降低了光生载流子被高导硅衬底中缺陷俘获的几率，增强了收集效率；采用环形负电极结构，相对于“V”槽负电极收集模式，圆形正电极和环形负电极间距小、结构对称、电场分布均匀，进一步增强了光生载流子的收集能力，提高了探测器的灵敏度。

主权项

1.一种电场分布均匀的硅掺磷阻挡杂质带探测器，其特征在于，包括高导硅衬底，所述高导硅衬底上包括环形凹槽区域、台面结构区域和外围区域，所示台面结构区域设置在环形凹槽区域中间，所示外围区域设置在环形凹槽区域外侧；所述环形凹槽区域的高导硅衬底上、环形凹槽区域与台面结构区域或外围区域连接形成的环形凹槽侧面均设置氮化硅钝化层，所述台面结构区域和外围区域的高导硅衬底上从下到上依次设置硅掺磷吸收层、高纯硅阻挡层、正电极接触层和氮化硅钝化层；所述环形凹槽区域内设置有环形负电极，台面结构区域的表面设置有圆形正电极；所述环形凹槽区域的深度为25～40μm，宽度为100～200μm；所述环形负电极与高导硅衬底连接，所述圆形正电极与正电极接触层连接；所述硅掺磷吸收层中磷离子的掺杂浓度为5×10¹⁷～1×10¹⁸cm^‑3，所述硅掺磷吸收层的厚度为20～30μm；所述高纯硅阻挡层的厚度为5～10μm；所述氮化硅钝化层的厚度为220nm。