[发明专利]一种基于6英寸GaN器件背孔掩膜的制作方法有效
| 申请号： | 201710336098.1 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107123592B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 王珺楠 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/04;H01L21/335 |
| 代理公司： | 51223 成都华风专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于6英寸GaN器件背孔掩膜的制作方法，解决传统的GaN HEMT器件制造工艺中存在的问题，提出一种新型基于6英寸GaN/SiC器件制造中背孔掩膜的制作方法，该方法采用做光刻、溅射、剥离、电镀的工艺制作金属镍以便用于刻蚀SiC的掩膜，金属Ni厚度10μm，均匀性≤5％，侧壁角度为〉60°，背孔的直径为但不限于60μm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 英寸 gan 器件 背孔掩膜 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于6英寸GaN器件背孔掩膜的制作方法，包括如下步骤：/n步骤1：通过显影液冲洗晶圆表面的颗粒和异物，做出厚度为2μm，直径为80μm的背孔形貌的光刻胶弧岛，采用光刻工艺将掩膜版上的图形转移到覆盖有光刻胶的晶圆上；/n步骤2：使用10%盐酸清洗晶圆表面氧化物，并在清洗后的整个晶圆表面溅射一层金属作为电镀的起镀层；/n步骤3：湿法浸泡进行剥离，将光刻胶溶解，露出器件衬底材料表面，带走光刻胶上面覆盖的溅射金属；/n步骤4：在剥离后剩余的金属起镀层通电，浸泡在氨基磺酸镍溶液中，在镍源处通正电，将镍离子化，在晶圆表面通负电，让镍离子得电子，附着在导电的金属起镀层通过时间控制将会形成厚度10μm的镍电镀层；/n步骤5：检查器件配片的厚度和均匀性，以及背孔的尺寸，用于反应耦合等离子体的SiC刻蚀。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
