[发明专利]具有保护栅极电介质的阻挡层的基于FET的湿度传感器有效
| 申请号： | 201710333712.9 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107449811B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | C.科比亚努;R.戴维斯;A.斯特拉图拉特;B.塞尔班;O.比尤;C.G.博斯坦;M.布雷兹努;S.D.科斯蒂 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | G01N27/22 | 分类号： | G01N27/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 赵苏林;李炳爱 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 说明性湿度传感器可以包括具有源极和漏极的衬底，其中所述漏极与源极横向隔开。在所述源极和漏极之间的空间中设置有栅极堆叠，以形成晶体管。栅极堆叠可以包括位于所述衬底上的栅极绝缘体，以形成栅极绝缘体/衬底界面。栅极堆叠可以进一步包括所述栅极绝缘体上方的阻挡层。所述阻挡层可以被构造成充当对移动电荷、湿气和/或其他污染物的屏障，并且可以帮助防止这样的污染物到达所述栅极绝缘体/衬底界面。栅极堆叠可以进一步包括所述阻挡层上方的湿度传感层。当暴露于湿气时，所述湿度传感层可以调节在所述栅极绝缘体下方并且在所述源极和漏极之间的衬底中的导电沟道。在一些情况下，湿度水平可以通过监测在源极和漏极之间流动的电流来确定。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 保护 栅极 电介质 阻挡 基于 fet 湿度 传感器 | ||
【主权项】：
湿度传感器，其包括：具有源极(122)和漏极(124)的衬底(110)，其中所述漏极(124)与所述源极(122)横向隔开；栅极堆叠，其包括：位于所述源极(122)和所述漏极(124)之间的空间中的栅极绝缘体(126)；位于所述栅极绝缘体(126)上方的阻挡层(128)；位于所述阻挡层(128)上方的传感聚合物(140)；电耦合至所述源极(122)的源极电极(142)；电耦合至所述漏极(124)的漏极电极(144)；位于所述传感聚合物(140)上方的多孔栅极电极(146)；和在所述多孔栅极电极(146)上方延伸的保护性多孔聚合物层(162)。
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