[发明专利]一种电压稳定器电路有效

专利信息
申请号: 201710322453.X 申请日: 2017-05-09
公开(公告)号: CN107066007B 公开(公告)日: 2018-08-10
发明(设计)人: 逯建武;李兆桂 申请(专利权)人: 普冉半导体(上海)有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人: 潘朱慧;周乃鑫
地址: 201210 上海市浦东新区*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种电压稳定器电路,包含:电阻R1、电阻R2、齐纳二极管D1、低压NMOS管N1、高压NMOS管N2、低压双极型NPN晶体管Q1;电阻R1,连接电源电压VDD及N2管的栅端;电阻R2连接GND端及N1管的栅端;齐纳二极管D1,阳极接N1管的栅端,阴极接N2管的栅端;N1管的源端接Q1管的基极,漏端接N2管的栅端,衬底端接地;Q1管的集电极接N2管的栅端,发射极接GND端;N2管的漏端接电源电压VDD,源端、衬底端接输出电压Vout。或者,本发明中以双极性NPN晶体管Q2来替换N1管,使Q2管的集电极接N2管的栅端,基极接二极管D1的阳极,发射极接Q1管的基极。本发明结构简单,可以改善输出电压的线性调节,使其随电源电压的变化更小,并可以有效改善输出电压的温度特性。
搜索关键词: 栅端 电阻 输出电压 电压稳定器 齐纳二极管 阳极 电源电压 衬底端 发射极 集电极 漏端 源端 电路 阴极 高压NMOS管 二极管 连接电源 温度特性 线性调节 接地 双极型 双极性 替换
【主权项】:
1.一种电压稳定器电路,其特征在于,包含:电阻R1、电阻R2、齐纳二极管D1、低压NMOS管N1、高压NMOS管N2、低压双极型NPN晶体管Q1;所述电阻R1,一端连接电源电压VDD,另一端连接到N2管的栅端;所述电阻R2,一端连接GND端,另一端连接到N1管的栅端;所述齐纳二极管D1,阳极接N1管的栅端,阴极接N2管的栅端;N1管的源端接Q1管的基极,漏端接N2管的栅端,衬底端接地;Q1管的集电极接N2管的栅端,发射极接GND端;N2管的漏端接电源电压VDD,源端、衬底端接输出电压Vout。
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