[发明专利]电阻式随机存取存储器结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201710320421.6 | 申请日： | 2017-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN108630808A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 许博砚;傅志正;沈鼎瀛 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电阻式随机存取存储器结构及其形成方法。此电阻式随机存取存储器结构包括：层间介电层，形成于基板上，其中层间介电层为包括氧的介电材料；氧扩散阻障层，形成于层间介电层上；底电极层，形成于氧扩散阻障层上。底电极层包括：第一电极层，形成于氧扩散阻障层上；第一富氧层，形成于第一电极层上；以及第二电极层，形成于第一富氧层上。此电阻式随机存取存储器结构亦包括：电阻转态层，形成于底电极层上；以及顶电极层，形成于电阻转态层上。本发明的氧扩散阻障层能够阻挡从层间介电层扩散进入第一电极层的氧，从而可改善电阻不均与转换不均的问题，进而提升产品的良率及信赖性。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻式随机存取存储器 层间介电层 氧扩散 阻障层 底电极层 第一电极 电阻 富氧层 转态 第二电极 顶电极层 介电材料 信赖性 基板 良率 阻挡 扩散 转换 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式随机存取存储器结构，其特征在于，包括：一层间介电层，形成于一基板上，其中该层间介电层为包括氧的介电材料；一氧扩散阻障层，形成于该层间介电层上；一底电极层，形成于该氧扩散阻障层上，其中该底电极层包括：一第一电极层，形成于该氧扩散阻障层上；一第一富氧层，形成于该第一电极层上；以及一第二电极层，形成于该第一富氧层上；一电阻转态层，形成于该底电极层上；以及一顶电极层，形成于该电阻转态层上。
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