[发明专利]用于FD-SOI装置的后栅极偏置的方法、装置及系统有效
| 申请号： | 201710317142.4 | 申请日： | 2017-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN107452798B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | T·G·麦凯 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于FD‑SOI装置的后栅极偏置的方法、装置及系统，其所揭示的至少一种方法、装置及系统包括提供具有包括后栅极及前栅极的晶体管的半导体装置。该半导体装置包括用以处理输入信号以提供输出信号的信号处理单元。该信号处理单元包括第一晶体管及第二晶体管。该第一晶体管包括与第一前栅极电性耦接的第一后栅极。该信号处理单元还包括与该第一晶体管操作性耦接的第二晶体管。该第二晶体管包括与第二前栅极电性耦接的第二后栅极。该半导体装置还包括用以在该输出信号上提供增益的增益电路。该半导体装置还包括用以向该第一后栅极提供第一偏置信号并向该第二后栅极提供第二偏置信号的偏置电路。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 fd soi 装置 栅极 偏置 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在硅衬底上方形成P衬底层；在该P衬底层上方形成三阱层；形成第一P阱结构，以定义晶体管的第一后栅极，从而该三阱将该第一P阱结构与该P衬底层隔离；在该第一后栅极上方形成第一氧化物层；在该第一氧化物层上方形成第一氧化物上硅(SOI)层；以及形成第一源区、第一漏区以及第一前栅区，以形成包括该第一后栅极及该第一前栅极的晶体管。
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