[发明专利]一种新型带隙基准电路结构有效
| 申请号： | 201710313141.2 | 申请日： | 2017-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN107066006B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 纪书江;霍长兴;刘璟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种新型带隙基准电路结构，包括偏置模块，正温度系数电流产生模块，负温度系数电流产生模块，电流加和模块，其中正温度系数电流产生模块包括：接入第一电流镜第一支路的第一晶体管、接入第一电流镜第二支路的第二晶体管、接入第一电流镜第一支路的第一NMOS管、以及接入第一电流镜第二支路的第二NMOS管；第一NMOS管的栅极与第一晶体管的发射极相连，第二NMOS管的栅极与第二晶体管的发射极相连；第二NMOS管的漏极连接到第二电流镜第一支路，第一NMOS管的漏极连接到第二电流镜第二支路，正温度系数电流从第二电流镜第二支路产生。本发明提供的新型带隙基准电路结构能够满足低电源电压、低输入输出、功耗低、占用版图小的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 支路 电流镜 晶体管 正温度系数电流 带隙基准电路 产生模块 发射极 漏极 负温度系数电流 低电源电压 偏置模块 功耗 占用 输出 | ||
【主权项】：
1.一种新型带隙基准电路结构，包括：偏置模块，用于提供所述带隙基准电路中的晶体管偏置电压；正温度系数电流产生模块，用于产生与温度呈正相关关系的电流；负温度系数电流产生模块，用于产生与温度呈负相关关系的电流；电流加和模块，用于加和所述与温度呈正相关关系的电流与所述与温度呈负相关关系的电流；其特征在于，所述正温度系数电流产生模块包括：接入第一电流镜第一支路的第一晶体管、接入第一电流镜第二支路的第二晶体管、接入所述第一电流镜第一支路的第一NMOS管、以及接入所述第一电流镜第二支路的第二NMOS管；所述第一晶体管的集电极、第二晶体管的集电极、第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极共同连接到公共接地端；所述第一NMOS管的栅极与所述第一晶体管的发射极相连，所述第二NMOS管的栅极与所述第二晶体管的发射极相连；所述第二NMOS管的漏极连接到第二电流镜第一支路，所述第一NMOS管的漏极连接到第二电流镜第二支路，所述正温度系数电流从所述第二电流镜第二支路产生；所述第一晶体管的基极和第二晶体管的基极共同连接到公共工作电压端。
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