[发明专利]基于短暂性构架的高电导率石墨烯薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201710311702.5 | 申请日： | 2017-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN107221387B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 陈国华;刘飞翔;邱欣斌;董菁;陈丹青;黄剑华 | 申请（专利权）人： | 华侨大学 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B1/04 |
| 代理公司： | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人： | 周新楣 |
| 地址： | 362000*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于短暂性构架的高电导率石墨烯薄膜的制备方法，该方法的步骤包括：(1)配制稳定的石墨烯分散液；(2)将石墨烯分散液涂覆于不同的基底上，干燥后得到含有短暂性构架的石墨烯薄膜；(3)对石墨烯薄膜进行表面处理除去薄膜中的短暂性构架，进一步提高薄膜电导率。石墨烯薄膜直接附着于需要使用石墨烯薄膜的基底上，石墨烯薄膜的厚度和尺寸易于控制，且能够省去转移石墨烯薄膜至目标基底的步骤，便于实际应用。本发明工艺简单、易于操作、安全环保、成本低廉，适用于工业化大规模生产。本发明制备的石墨烯薄膜具有优异的光电性能，特别地，能够通过简单的表面处理进一步提高石墨烯薄膜的电导率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 短暂 构架 电导率 石墨 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于短暂性构架的高电导率石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)将一定配比的石墨烯、多壁碳纳米管、表面活性剂、粘结剂和溶剂进行混合，超声预分散后再进行研磨，之后通过离心或过滤除去大尺寸无法良好分散的导电填料颗粒，得到稳定的石墨烯分散液，其中石墨烯的浓度为1‑100mg/ml，多壁碳纳米管的浓度为0.1‑50mg/ml；(2)将所得石墨烯分散液涂覆于基底上，干燥后得到含有短暂性构架的石墨烯薄膜，其中所述短暂性构架由石墨烯分散液中所添加的表面活性剂和粘结剂形成；(3)对石墨烯薄膜进行表面处理除去薄膜中的短暂性构架，得到多壁碳纳米管和石墨烯复合的高电导率石墨烯薄膜。
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