[发明专利]仿真多端口存储器元件电路有效

专利信息
申请号: 201710311561.7 申请日: 2017-05-05
公开(公告)号: CN107464582B 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: P.R.朱 申请(专利权)人: 阿尔特拉公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 徐红燕;张涛
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及仿真多端口存储器元件电路。集成电路可以包括存储器元件电路。存储器元件电路可以包括多个双端口存储器元件,其被控制以有效地形成具有多个读取和写入端口的多端口存储器元件。双端口存储器元件的各个组可以被耦合到每个写入端口。可以通过所述写入端口中的一个或多个并行地接收写入数据并将其存储在所述组上。切换电路可以被耦合在所述存储器元件电路的组与读取端口之间。可以使用由基于逻辑XOR的控制电路生成的读取控制信号来控制所述切换电路。控制电路可以包括双端口存储器元件,其存储与写入数据相关联的寻址信号。读取控制信号可以控制切换电路以在数据读取操作期间选择性地将最近写入的数据路由至对应的读取端口。
搜索关键词: 仿真 多端 存储器 元件 电路
【主权项】:
具有多个写入端口和多个读取端口的存储器元件电路,所述存储器元件电路包括:多组双端口存储器元件,其中,所述多组中的每个组被耦合到所述写入端口中的相应的一个;切换电路,其被耦合在所述多组双端口存储器元件与所述多个读取端口中的第一读取端口之间;以及逻辑异或(XOR)门,其被耦合到所述切换电路的控制输入端,其中,所述逻辑XOR门输出控制所述切换电路选择性地将读取数据从所述多组双端口存储器元件路由至所述第一读取端口的读取控制信号。
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