[发明专利]CMP仿真方法和装置、研磨去除率的获取方法和装置有效
| 申请号： | 201710305128.2 | 申请日： | 2017-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN108733865B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 刘建云;陈岚;孙旭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F30/25 | 分类号： | G06F30/25;G06F119/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本申请公开了一种CMP仿真方法和装置，该仿真方法用于模拟研磨液对晶圆的化学协同作用，该仿真方法包括：获取化学机械研磨中的研磨粒子与晶圆之间的接触压力F、研磨粒子的直径D以及研磨液化学协同作用下的晶圆表面硬度H |
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| 搜索关键词： | cmp 仿真 方法 装置 研磨 去除 获取 | ||
【主权项】：
1.一种化学机械研磨仿真方法，其特征在于，所述仿真方法用于模拟研磨液对晶圆的化学协同作用，所述仿真方法包括：获取化学机械研磨中的研磨粒子与晶圆之间的接触压力F、研磨粒子的直径D以及研磨液化学协同作用下的晶圆表面硬度Hws；根据所述化学机械研磨中的研磨粒子与晶圆之间的接触压力F、研磨粒子的直径D以及研磨液化学协同作用下的晶圆表面硬度Hws计算研磨粒子压入晶圆内的近似压入深度δw；根据晶圆本体硬度Hwb、研磨液化学协同作用下的晶圆表面硬度Hws、晶圆硬度变化层厚度t以及研磨粒子压入晶圆内的近似压入深度δw，计算晶圆有效硬度Hwe。
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