[发明专利]核壳结构的InP/ZnS纳米晶的制备方法在审

专利信息
申请号: 201710296797.8 申请日: 2017-04-28
公开(公告)号: CN108795425A 公开(公告)日: 2018-11-13
发明(设计)人: 刘政;杨一行 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: C09K11/70 分类号: C09K11/70;B82Y20/00;B82Y40/00
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 黄志云
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种InP纳米晶的制备方法,包括以下步骤:在惰性氛围下,将铟源化合物、油酸、十二胺和三辛基膦混合得到混合液,将所述混合液在真空条件下加热脱气处理,将脱气后的所述混合液在惰性气氛下加热至170‑270℃,直至形成透明的铟前躯体溶液;在惰性氛围下,将白磷和浓硫酸混匀处理,制备磷前驱体;在惰性氛围下,将所述铟前躯体溶液升温至200‑320℃后,将所述磷前驱体注入到所述述铟前躯体溶液中,保持200‑320℃恒温,反应得到InP纳米晶。
搜索关键词: 前躯体溶液 惰性氛围 混合液 纳米晶 制备 前驱体 油酸 铟源化合物 核壳结构 加热脱气 三辛基膦 真空条件 浓硫酸 十二胺 透明的 白磷 混匀 脱气 加热
【主权项】:
1.一种InP纳米晶的制备方法,包括以下步骤:在惰性氛围下,将铟源化合物、油酸、十二胺和三辛基膦混合得到混合液,将所述混合液在真空条件下加热脱气处理,将脱气后的所述混合液在惰性气氛下加热至170‑270℃,直至形成透明的铟前躯体溶液;在惰性氛围下,将白磷和浓硫酸混匀处理,制备磷前驱体;在惰性氛围下,将所述铟前躯体溶液升温至200‑320℃后,将所述磷前驱体注入到所述述铟前躯体溶液中,保持200‑320℃恒温,反应得到InP纳米晶。
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