[发明专利]一种发光控制电路、发光控制方法以及移位寄存器

摘要

本申请公开了一种发光控制电路、发光控制方法以及移位寄存器，该发光控制电路包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第九薄膜晶体管、第十薄膜晶体管、第十一薄膜晶体管、第十二薄膜晶体管以及第十三薄膜晶体管。第十二薄膜晶体管与第一薄膜晶体管连接，第十三薄膜晶体管与第五薄膜晶体管以及第七薄膜晶体管连接，第十二薄膜晶体管可以将第一薄膜晶体管与低电压阻隔，第十三薄膜晶体管可以将第五薄膜晶体管以及第七薄膜晶体管与低电压阻隔。这样，可以降低薄膜晶体管被击穿的风险，提高发光控制电路的稳定性。

主权项

1.一种发光控制电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第九薄膜晶体管、第十薄膜晶体管、第十一薄膜晶体管、第十二薄膜晶体管以及第十三薄膜晶体管，其中：所述第十二薄膜晶体管的源极与所述第一薄膜晶体管的源极连接，漏极与所述第六薄膜晶体管的栅极连接；所述第十三薄膜晶体管的漏极与所述第八薄膜晶体管的栅极连接，源极分别与所述第五薄膜晶体管的漏极以及所述第七薄膜晶体管的源极连接；所述第十薄膜晶体管的栅极分别与所述第五薄膜晶体管的栅极、所述第四薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的源极连接，源极分别与所述第三薄膜晶体管的源极、所述第四薄膜晶体管的源极以及第一电源连接，漏极分别与所述第十一薄膜晶体管的源极以及所述第三薄膜晶体管的栅极连接；所述第十一薄膜晶体管的栅极分别与所述第四薄膜晶体管的漏极以及所述第九薄膜晶体管的漏极连接，漏极分别与所述第七薄膜晶体管的漏极以及第二电源连接；所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第二薄膜晶体管的栅极连接，漏极与所述第二薄膜晶体管的漏极连接；所述第三薄膜晶体管的漏极与所述第六薄膜晶体管的源极连接；所述第八薄膜晶体管的漏极与所述第九薄膜晶体管的源极连接。