[发明专利]一种发光控制电路、发光控制方法以及移位寄存器

权利要求书

1.一种发光控制电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第九薄膜晶体管、第十薄膜晶体管、第十一薄膜晶体管、第十二薄膜晶体管以及第十三薄膜晶体管，其中：

所述第十二薄膜晶体管的源极与所述第一薄膜晶体管的源极连接，漏极与所述第六薄膜晶体管的栅极连接；

所述第十三薄膜晶体管的漏极与所述第八薄膜晶体管的栅极连接，源极分别与所述第五薄膜晶体管的漏极以及所述第七薄膜晶体管的源极连接；

所述第十薄膜晶体管的栅极分别与所述第五薄膜晶体管的栅极、所述第四薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的源极连接，源极分别与所述第三薄膜晶体管的源极、所述第四薄膜晶体管的源极以及第一电源连接，漏极分别与所述第十一薄膜晶体管的源极以及所述第三薄膜晶体管的栅极连接；

所述第十一薄膜晶体管的栅极分别与所述第四薄膜晶体管的漏极以及所述第九薄膜晶体管的漏极连接，漏极分别与所述第七薄膜晶体管的漏极以及第二电源连接；

所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第二薄膜晶体管的栅极连接，漏极与所述第二薄膜晶体管的漏极连接；

所述第三薄膜晶体管的漏极与所述第六薄膜晶体管的源极连接；

所述第八薄膜晶体管的漏极与所述第九薄膜晶体管的源极连接。

2.如权利要求1所述的发光控制电路，其特征在于，

所述第十二薄膜晶体管为P型薄膜晶体管，所述第十二薄膜晶体管的栅极与所述第二电源连接，或，所述第十二薄膜晶体管为N型薄膜晶体管，所述第十二薄膜晶体管的栅极与所述第一电源连接；以及，

所述第十三薄膜晶体管为P型薄膜晶体管，所述第十三薄膜晶体管的栅极与所述第二电源连接，或，所述第十三薄膜晶体管为N型薄膜晶体管，所述第十三薄膜晶体管的栅极与所述第一电源连接。

3.如权利要求2所述的发光控制电路，其特征在于，

所述第一薄膜晶体管的栅极与第二时钟信号连接，漏极与输入信号连接；

所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第二时钟信号连接，漏极与所述输入信号连接；

所述第五薄膜晶体管的源极与所述第二时钟信号连接；

所述第六薄膜晶体管的漏极与第一时钟信号连接；

所述第七薄膜晶体管的栅极与所述第二时钟信号连接；

所述第八薄膜晶体管的源极与第三时钟信号连接；

所述第九薄膜晶体管的栅极与所述第三时钟信号连接。

4.如权利要求3所述的发光控制电路，其特征在于，所述发光控制电路还包括：第一电容、第二电容、第三电容以及第四电容，其中：

所述第一电容的一端与所述第十二薄膜晶体管的漏极连接，另一端与所述第六薄膜晶体管的源极连接；

所述第二电容的一端与所述第十三薄膜晶体管的漏极连接，另一端与所述第九薄膜晶体管的源极连接；

所述第三电容的一端与所述第十一薄膜晶体管的栅极连接，另一端与所述第一时钟信号连接；

所述第四电容的一端与所述第十薄膜晶体管的栅极连接，另一端与所述第一电源连接。

5.如权利要求1至4任一项所述的发光控制电路，其特征在于，

所述第一电源输出高电平，所述第二电源输出低电平，所述第一电源以及所述第二电源为所述发光控制电路提供电源电压。

6.如权利要求5所述的发光控制电路，其特征在于，

所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管、所述第六薄膜晶体管、所述第七薄膜晶体管、所述第八薄膜晶体管以及所述第九薄膜晶体管为P型薄膜晶体管或N型薄膜晶体管；

所述第十薄膜晶体以及所述第十一薄膜晶体管均为P型薄膜晶体管或N型薄膜晶体管。