[发明专利]存取闪存模块的方法及相关的闪存控制器与记忆装置有效
申请号: | 201710284344.3 | 申请日: | 2017-04-26 |
公开(公告)号: | CN107391296B | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 杨宗杰;许鸿荣 | 申请(专利权)人: | 慧荣科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F11/10 | 分类号: | G06F11/10;G06F3/06;G06F12/0882 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种存取闪存模块的方法及相关的闪存控制器与记忆装置。所述闪存模块是包含了多个闪存芯片的立体闪存模块,每一个闪存芯片包含了多个区块,每一个区块包含了多个数据页;以及所述方法包含有:规划所述多个闪存芯片以使得所述多个闪存芯片具有至少一个超级区块;以及指派一缓冲存储器空间以用来储存在一数据写入至所述至少一个超级区块的过程中所编码产生的多组暂时性的校验码。据此可以对数据写入错误、字符线断路以及字符线短路的数据读取错误进行更正,也可以大幅降低缓冲存储器的容量需求,且不需要浪费太多个空间储存校验码,降低的成本以及使用效率。 | ||
搜索关键词: | 存取 闪存 模块 方法 相关 控制器 记忆 装置 | ||
【主权项】:
一种存取闪存模块的方法,其特征在于,所述闪存模块是立体闪存模块,所述闪存模块包含了多个闪存芯片,每一个闪存芯片包含了多个区块,所述多个区块包含了多个多级单元区块,每一个区块包含了多个数据页;每一个区块包含了分别位于多个不同平面的多条字符线以及位线来控制的多个浮闸晶体管,且每一条字符线的浮闸晶体管构成了所述多个数据页中的至少一个数据页;以及所述方法包含:对数据进行编码以产生至少一组校验码,其中所述数据是准备被写入到所述多个闪存芯片的超级区块中,其中所述超级区块包含了所述多个闪存芯片中每一个闪存芯片的一个多级单元区块;将所述数据写入至所述超级区块;将所述至少一组校验码写入暂存至缓冲存储器中;以及从所述缓冲存储器读取出所述至少一组校验码,对所述至少一组校验码进行编码以产生至少一组最终校验码,将所述至少一组最终校验码写入至所述超级区块的闪存芯片的多个数据页。
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