[发明专利]一种三并咔唑基梯形有机半导体激光材料及其制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种三并咔唑基梯形有机半导体激光材料及其制备方法与应用。该材料的结构以三并咔唑结构单元为核，以不同共轭长度的梯形芴结构为臂，选用不同端基进行封端的梯形大分子衍生物。本发明材料结构明确，具有逐渐增大的π共轭体系,特殊的刚性多臂结构使有机梯形共轭分子避免了构型的无序性，同时选用不同电活性官能团封端，可以调节材料的发光特性和电学性能，故表现出较高的光热稳定性和载流子迁移率应用于有机半导体激光领域，具有高增益系数、高热稳定性的特征，适合在有机激光器件或有机电致发光器件上应用。

主权项

1.一种三并咔唑基梯形有机半导体激光材料，其特征在于，该材料以三并咔唑结构单元为核，以不同共轭长度的梯形芴结构为臂，选用不同端基进行封端的梯形大分子衍生物，具有如下结构通式：TAT‑2LTAT‑3LTAT‑4L其中，R₁、R₂为C₁‑C₃₀烷基、烷氧基、烷苯基、芳基中的一种，Ar为9‑咔唑基、吡啶基、1‑甲氧基‑4‑苯基、1‑噻吩基、2‑噻吩基、苯基噻唑基、9‑(二苯并噻吩)嗪基、4‑咔唑‑苯基、3‑(9‑苯基咔唑)基、二苯胺基、9‑(3，8‑二氨基)咔唑基、4'‑(4‑氟‑1,1'‑联苯)基、1‑(4‑三氟甲基)苯基、三氟苯基、对氟苯基、氟基、氰基、3,5‑二氟苯基、芘基、蒽基、螺二芴基、菲基、苯并噻二唑基中任一种。