[发明专利]用于高压ESD保护的高维持电流LDMOS结构有效
| 申请号： | 201710272821.4 | 申请日： | 2017-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN106876473B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 乔明;齐钊;杨文;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 敖欢;葛启函<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于高压ESD保护的高维持电流LDMOS结构，包括P型衬底、NWELL区、NP接触区、P型衬底表面的薄栅氧化层、多晶硅栅电极、P衬底表面注入的NP源极接触区、PP衬底、NTOP层，NTOP层左边缘与NP接触区右边缘的距离为D1，NTOP层右边缘与NWELL区右边缘的间距为D2，通过调整D1来调节器件的维持电流，通过调节D2来调节器件的触发电压，本发明提出LDMOS器件可以在工艺不改变的情况下通过NTOP层的位置来调节触发电压；NTOP层位置的改变一方面能够调整触发电压，另一方面可以提高维持电流从而避免闩锁效应；NTOP层的存在能够改变电流分布，提高器件在ESD脉冲电流下的鲁棒性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高压 esd 保护 维持 电流 ldmos 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于高压ESD保护的高维持电流LDMOS结构，其特征在于：包括P型衬底(1)、位于P型衬底表面的NWELL区(10)、位于NWELL区内部的NPLUS接触区(11)、与NWELL区(10)右侧相切的P型衬底表面的薄栅氧化层(2)、位于薄栅氧化层(2)上方的多晶硅栅电极(3)、与薄栅氧化层(2)右侧相切的P衬底表面注入的NPLUS源极接触区(12)、与NPLUS源极接触区(12)右侧相切的PPLUS衬底(20)、位于NWELL区(10)内部NPLUS接触区(11)右侧的NTOP层(13)，NTOP层(13)左边缘与NPLUS接触区(11)右边缘的距离为D1，NTOP层(13)右边缘与NWELL区(10)右边缘的间距为D2，通过调整D1来调节器件的维持电流，通过调节D2来调节器件的触发电压，NPLUS接触区(11)与金属相连形成漏级金属；多晶硅栅电极(3)、NPLUS源极接触区(12)、PPLUS衬底(20)用金属相连构成器件源极，NPLUS接触区(11)构成器件的阳极接触，NPLUS源极接触区(12)、PPLUS衬底(20)、多晶硅栅电极(3)短接构成器件的阴极接触。/n
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