[发明专利]一种无电感低功耗高增益高线性度宽带低噪声放大器

摘要

一种无电感低功耗高增益高线性度宽带低噪声放大器，设有放大单元、复用单元、级联单元、负载单元、输入匹配反馈单元、电流镜单元和反向隔离输出匹配单元；射频输入信号连接放大单元，放大单元的输出分别连接复用单元和级联单元，级联单元的输出分别连接负载单元、输入匹配反馈单元和反向隔离输出匹配单元，输入匹配反馈单元的输出除连接电流镜单元外还反馈连接放大单元，反向隔离输出匹配单元输出射频输出信号。

主权项

一种无电感低功耗高增益高线性度宽带低噪声放大器，其特征在于：设有放大单元、复用单元、级联单元、负载单元、输入匹配反馈单元、电流镜单元和反向隔离输出匹配单元；射频输入信号连接放大单元，放大单元的输出分别连接复用单元和级联单元，级联单元的输出分别连接负载单元、输入匹配反馈单元和反向隔离输出匹配单元，输入匹配反馈单元的输出除连接电流镜单元外还反馈连接放大单元，反向隔离输出匹配单元输出射频输出信号，其中：放大单元包括NMOS管M1，NMOS管M1的栅极连接射频输入信号RFin，NMOS管M1的栅极偏置电压由输入匹配反馈单元和电流镜单元提供；复用单元包括PMOS管M2、PMOS管M4、电阻RB1及电容C1，PMOS管M2的栅极连接放大单元中NMOS管M1的栅极，PMOS管M2源极连接PMOS管M4的漏极和电容C1的一端，PMOS管M4的栅极通过电阻RB1连接偏置电压VB1，PMOS管M4的源极连接电容C1的另一端并与电源VDD连接；级联单元包括NMOS管M3，NMOS管M3的源极分别连接放大单元中NMOS管M1的漏极和复用单元中PMOS管M2的漏极；负载单元包括电阻RL，电阻RL的一端连接级联单元中NMOS管M3的漏极，电阻RL的另一端连接电源VDD；输入匹配反馈单元包括NMOS管M5、NMOS管M6、偏置电阻R1、反馈电阻RF、反馈电容CF和电容C2，NMOS管M5的栅极连接级联单元中NMOS管M3的漏极，NMOS管M5的漏极连接电源VDD，NMOS管M5的源极连接NMOS管M6的漏极和栅极并连接偏置电阻R1的一端，偏置电阻R1的另一端连接电容C2的一端和级联单元中NMOS管M3的栅极，电容C2的另一端接地，NMOS管M6的源极连接反馈电阻RF与反馈电容CF并联后的一端，反馈电阻RF与反馈电容CF并联后的另一端连接放大单元中NMOS管M1的栅极；电流镜单元包括电阻R2，电阻R2的一端连接输入匹配反馈单元中NMOS管M6的源极，电阻R2的另一端接地；反向隔离输出匹配单元包括PMOS管M7、PMOS管M10、NMOS管M8、NMOS管M9、电阻RB2、电阻RB3、交流反馈电容C3和输出匹配电阻Rout；PMOS管M7的源极和PMOS管M10的源极均连接电源VDD，PMOS管M7的栅极通过电阻RB2连接偏置电压VB2，PMOS管M7的漏极与PMOS管M10的栅极、NMOS管M8的漏极以及交流反馈电容C3的一端连接在一起，NMOS管M8的栅极连接级联单元中NMOS管M3的漏极，NMOS管M8的源极与PMOS管M10的漏极、NMOS管M9的漏极以及输出匹配电阻Rout的一端连接在一起，NMOS管M9的栅极连接交流反馈电容C3的另一端并通过电阻RB3连接偏置电压VB3，NMOS管M9的源极接地，输出匹配电阻Rout的另一端输出射频输出信号RFout。