[发明专利]一种TLC NAND FLASH固态硬盘的写入方法在审
| 申请号： | 201710262449.9 | 申请日： | 2017-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN108733318A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 徐暐淇;苏忠益 | 申请（专利权）人： | 立而鼎科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 | 代理人： | 张秋红;郭方伟 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市前海深港合作区前*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TLC NAND FLASH固态硬盘的写入方法。固态硬盘包括单层式储存单元和三层式储存单元，该方法包括：S1：固态硬盘的主控端发出写入指令，数据被写入SLC数据缓冲区；S2：当数据写满预设数量的单层式储存单元时，下发复制写回指令；S3：将预设数量的单层式储存单元内的数据写入三层式储存单元中；S4：更新三层式储存单元对应的物理对逻辑映像表。通过实施本发明，可加速主控端的数据写入速度，减少读取时间，同时减少固态硬盘垃圾收集的次数，改善固态硬盘的存取效能。 | ||
| 搜索关键词： | 固态硬盘 写入 单层式储存 储存单元 三层式 预设 读取 数据缓冲区 存取效能 垃圾收集 逻辑映像 写入指令 数据写 主控端 写回 主控 复制 指令 更新 | ||
【主权项】：
1.一种TLC NAND FLASH固态硬盘的写入方法，其特征在于，固态硬盘包括单层式储存单元和三层式储存单元，所述方法包括：S1：所述固态硬盘的主控端发出写入指令，数据被写入SLC数据缓冲区；S2：当所述数据写满预设数量的单层式储存单元时，下发复制写回指令；S3：将所述预设数量的单层式储存单元内的数据写入所述三层式储存单元中；S4：更新所述三层式储存单元对应的物理对逻辑映像表。
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