[发明专利]Y3+

摘要

本发明公开了一种Y3+、Ga3+复合施主掺杂制备的ZnO压敏陶瓷及其制备方法，包括有基料和掺杂料，所述基料按重量份计包括有ZnO：87‑95份、Bi2O3：2.0‑4.0份、MnO2：0.4‑0.7份、Sb2O3：1.5‑3.5份、Co2O3：0.5‑1.5份、Cr2O3：0.2‑1.0份、籽晶掺杂料：1‑5份；所述籽晶掺杂料为ZnO、Ga2O3和Y2O3，其质量分数比为ZnO：Ga2O3：Y2O3＝90‑95：0.1‑5：0.1‑5。本发明Y3+、Ga3+复合施主掺杂制备的ZnO压敏陶瓷具有既能降低ZnO晶粒电阻率，又能控制ZnO晶格畸变的特点，最终达到ZnO压敏电阻残压低、老化寿命长、脉冲电流耐受强的特点。

主权项

一种Y3+、Ga3+复合施主掺杂制备的ZnO压敏陶瓷，其特征在于：包括有基料和掺杂料，所述基料按重量份计包括有ZnO：87‑95份、Bi2O3：2.0‑4.0份、MnO2：0.4‑0.7份、Sb2O3：1.5‑3.5份、Co2O3：0.5‑1.5份、Cr2O3：0.2‑1.0份、籽晶掺杂料：1‑5份；所述籽晶掺杂料为ZnO、Ga2O3和Y2O3，其质量分数比为ZnO：Ga2O3：Y2O3＝90‑95：0.1‑5：0.1‑5。