[发明专利]一种基于耦合米氏共振的超表面完全吸收体及其制备方法有效
| 申请号： | 201710235356.7 | 申请日： | 2017-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN107121715B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 王钦华;孙倜;钱沁宇 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;B81C1/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于耦合米氏共振的大面积宽入射角超表面完全吸收体及其制备方法，所述吸收体包括SiO2衬底，所述SiO2衬底的上表面具有多孔阵列结构，Si层，形成在所述多孔阵列结构上，Cr层，形成在所述Si层之上，所述吸收体包括三层系统，底层是由SiO2衬底包围的Si柱的阵列，中间层是由Si层包围的Cr柱的阵列，以及顶层是多孔阵列的Cr层。本发明所提出的耦合米氏共振的超表面完美吸收器具有良好的宽带宽角度吸收性能，器件结构简单、超薄且易于集成制作和大面积制作，在太阳能电池和薄膜工业中具有许多重大的潜在应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 耦合 共振 大面积 入射角 表面 完全 吸收体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于耦合米氏共振的大面积宽入射角超表面完全吸收体，其特征在于：包括：SiO2衬底，所述SiO2衬底的上表面具有多孔阵列结构，Si层，形成在所述多孔阵列结构上，Cr层，形成在所述Si层之上，所述吸收体包括三层系统，底层是由SiO2衬底包围的Si柱的阵列，中间层是由Si层包围的Cr柱的阵列，以及顶层是多孔阵列的Cr层。
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