[发明专利]一种静电场辅助多晶硅铸锭的方法在审
| 申请号： | 201710234839.5 | 申请日： | 2017-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN107164802A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 杨晓朋;张立来;曹丙强 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06;C30B30/02 |
| 代理公司： | 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业)37240 | 代理人： | 李茜 |
| 地址： | 250022 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种静电场辅助多晶硅铸锭的方法。其步骤如下(1)将两片电极板置于多晶铸锭坩埚上下两侧，并保持平行；(2)电极板外接高压电源，给电极板输出稳定电压；(3)保持电场强度稳定在1V/cm‑100000V/cm范围中某一具体值，进行多晶硅铸锭工艺；(4)铸锭结束，极板断电，即得到性能优异的多晶硅铸锭。本发明可使多晶硅晶粒变大、取向性增强，并且可以将多晶硅中多种带电杂质高效的去除，大幅提高多晶硅质量，操作简单，稳定性好，能够进行批量生产。图1为实施例1、2中电场施加示意图；其中1导线，2石墨电极，3铸锭坩埚，4高压电源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静电场 辅助 多晶 铸锭 方法 | ||
【主权项】：
一种静电场辅助多晶硅铸锭的方法，其特征在于，所述方法包括下述具体步骤：(1)将两片电极板置于多晶铸锭坩埚上下两侧，并保持平行；(2)电极板外接高压电源，给电极板输出稳定电压；(3)保持两极板间电场强度的稳定，进行多晶硅铸锭工艺；(4)铸锭结束，极板断电，即可得到性能优异的多晶硅铸锭。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于济南大学，未经济南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710234839.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
