[发明专利]一种静电场辅助多晶硅铸锭的方法在审
申请号: | 201710234839.5 | 申请日: | 2017-04-12 |
公开(公告)号: | CN107164802A | 公开(公告)日: | 2017-09-15 |
发明(设计)人: | 杨晓朋;张立来;曹丙强 | 申请(专利权)人: | 济南大学 |
主分类号: | C30B28/06 | 分类号: | C30B28/06;C30B29/06;C30B30/02 |
代理公司: | 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业)37240 | 代理人: | 李茜 |
地址: | 250022 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 静电场 辅助 多晶 铸锭 方法 | ||
1.一种静电场辅助多晶硅铸锭的方法,其特征在于,所述方法包括下述具体步骤:
(1)将两片电极板置于多晶铸锭坩埚上下两侧,并保持平行;
(2)电极板外接高压电源,给电极板输出稳定电压;
(3)保持两极板间电场强度的稳定,进行多晶硅铸锭工艺;
(4)铸锭结束,极板断电,即可得到性能优异的多晶硅铸锭。
2.如权利要求一所述一种静电场辅助多晶硅铸锭的方法,其特征在于,电极板输出稳定电压的变化范围在1V-10000V可调。
3.如权利要求一所述一种静电场辅助多晶硅铸锭的方法,其特征在于,电场强度可在1V/cm-100000V/cm范围内稳定于一个具体值。
4.如权利要求1所述的一种静电场辅助多晶硅铸锭的方法,其特征在于,步骤(1)中,所述电极板材料为石墨、导电无机物。
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