[发明专利]一种基于铁电异质结的具有多值存储特性的非易失性阻变存储单元及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710230438.2 申请日: 2017-04-11
公开(公告)号: CN106992250B 公开(公告)日: 2020-01-14
发明(设计)人: 尼浩;王涛;李代林 申请(专利权)人: 中国石油大学(华东)
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;G11C11/22
代理公司: 22201 长春吉大专利代理有限责任公司 代理人: 刘世纯;王恩远
地址: 266580 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 一种基于铁电异质结的具有多值存储特性的非易失性阻变存储单元及其制备方法,属于半导体固态存储器技术领域。由写入底电极、铁电单晶基片、阻变层和顶电极组成;铁电单晶基片的下表面制备有写入底电极,上表面制备有阻变层;阻变层上制备有顶电极,顶电极由四个条形电极构成,中间两个条形电极为电阻状态的读取电极,在读取电极的外侧对称的分布的两个条形电极为写入顶电极,用外部导线相连;或顶电极由一个环形电极和两个条形电极构成,环形电极对称环绕分布在两个条形电极的周围,环形电极为写入顶电极,两个条形电极为电阻状态的读取电极;写入顶电极与写入底电极一起构成了电阻状态的写入电极。具有结构简单、稳定性强、制作成本低、可以工作在室温的特点。
搜索关键词: 一种 基于 铁电异质结 具有 存储 特性 非易失性阻变 单元 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种基于铁电异质结的具有多值存储特性的非易失阻变存储单元,其特征在于:由写入底电极、铁电单晶基片、阻变层和顶电极组成;写入底电极制备在铁电单晶基片的下表面;在铁电单晶基片的上表面制备有TiO
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