[发明专利]一种防止反向漏电的端口保护电路有效
申请号: | 201710229333.5 | 申请日: | 2017-04-10 |
公开(公告)号: | CN106843361B | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 金湘亮;张文杰;谢亮;周维瀚 | 申请(专利权)人: | 江苏芯力特电子科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/569 | 分类号: | G05F1/569 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 金方玮;董建林 |
地址: | 212415 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种防止反向漏电的端口保护电路,包括:电阻、电源、第一反相器、第二反相器、或非门、第一PMOS管,第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管;本发明提供一种防止反向漏电的端口保护电路;本保护电路在输出端电压低于0V时有效防止电流从地反向流出输出端口,同时在输出端电压高于电源VDD时阻止大电流损坏芯片;保证了芯片的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 端口保护电路 反向漏电 输出端电压 反相器 电源 芯片 使用寿命 输出端口 大电流 或非门 电阻 电路 流出 保证 | ||
【主权项】:
1.一种防止反向漏电的端口保护电路,其特征在于,包括:电阻、电源、 第一反相器、第二反相器、或非门、第一PMOS管,第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管;PMOS管为n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管;NMOS管为N型金属‑氧化物‑半导体结构的晶体管;第一反相器的输入端接入控制信号DI且输出端与或非门的输入端相连;或非门的另一个输入端接入检测信号CTR且输出端连接第二PMOS管的源端和第三NMOS管的漏端;第二PMOS管的漏端、第三NMOS的源端、第一NMOS的栅端和第四NMOS的漏端相连;第一NMOS管的衬底、第三NMOS管的衬底、第四NMOS管的衬底、第五NMOS管的源端及衬底、第六NMOS管的漏端及衬底相连;第一NMOS管的源端接地;端口保护电路的输出端口与第一NMOS管的漏端、第四NMOS管的源端、第五NMOS管的漏端、电阻相连;第二NMOS管的源端与电阻的另一端口相连,栅极接地,衬底和漏端与第一PMOS管的漏端、第二反相器的输入端、第三NMOS管的栅极和第六NMOS管的栅极相连;第六NMOS管的源端接地;第一PMOS管的衬底和源端、第二PMOS管的衬底接电源;第二反相器的输出端连接第二PMOS管的栅极、第四NMOS管的栅极、第五NMOS管的栅极。
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