[发明专利]多孔In2O3超薄纳米层气敏材料在审
申请号: | 201710228006.8 | 申请日: | 2017-06-09 |
公开(公告)号: | CN107128966A | 公开(公告)日: | 2017-09-05 |
发明(设计)人: | 苏娟;王雪 | 申请(专利权)人: | 上海科技大学 |
主分类号: | C01G15/00 | 分类号: | C01G15/00;B82Y40/00;G01N27/12 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司31001 | 代理人: | 翁若莹,王婧 |
地址: | 200120 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种多孔In2O3超薄纳米层气敏材料及其制备和应用。所述的多孔In2O3超薄纳米层气敏材料,具有立方晶相,具有多孔的超薄纳米层结构。多孔In2O3超薄纳米层气敏材料的孔尺寸分布为0~85nm,In2O3超薄纳米层上的孔尺寸为2~4nm。超薄纳米层厚度为3.5~4nm,比表面积为63~113m2/g,在120℃操作温度下能够灵敏地检测10ppb~10ppm浓度范围内的氮氧化物气体,检测10ppm浓度氮氧化物气体时响应值为110~213。本发明在不引入模板剂和表面活性剂条件下,通过简单的两步合成法首次合成出具有多孔结构的In2O3超薄纳米层气敏材料,对氮氧化物气体的检测实现了较低的操作温度,极低的检测极限,高气敏响应值,具有重要的气敏应用价值。 | ||
搜索关键词: | 多孔 in2o3 超薄 纳米 层气敏 材料 | ||
【主权项】:
一种多孔In2O3超薄纳米层气敏材料,其特征在于,具有多孔的超薄纳米层结构,超薄纳米层的厚度为3.5~4nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海科技大学,未经上海科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710228006.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 复合纳米半导体Cl<sub>2</sub>敏感材料In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>/Pt的制备方法
- 一种在硅片上复合In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>花状纳米结构的半导体材料及其制备方法
- 一种在硅片上复合In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>触须状纳米结构的半导体材料及其制备方法
- 一种金属掺杂的In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的复合材料的制备方法
- 一种Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>/In<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 异质结构纳米管及其制备方法与应用
- 一种In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/ZnO异质结构纳米管及其制备方法与应用
- 一种氧化铟纳米纤维场效应晶体管电学性能的调控方法
- 一种Cd掺杂In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>多孔纳米球
- 一种In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基染料敏化太阳能电池的制备方法
- 纳米氧化铟介孔组装体系及其制备方法