[发明专利]一种基于双折射材料的光场调制结构设计方法有效

专利信息
申请号: 201710227825.0 申请日: 2017-04-10
公开(公告)号: CN106842563B 公开(公告)日: 2019-03-05
发明(设计)人: 史立芳;王佳舟;曹阿秀;张满;庞辉;邓启凌 申请(专利权)人: 中国科学院光电技术研究所
主分类号: G02B27/00 分类号: G02B27/00;G02B5/18;G02B5/30
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610209 *** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种基于双折射材料的光场调制结构设计方法。该方法主要采用双折射材料来开展结构的设计,利用双折射材料对于o光和e光折射率不同的特点,可以同时对入射光获得两个相位调制量。双折射材料上面结构的高度是采用迭代计算的方法获得的,对每个像素点设置初始高度,然后计算其分别对应的o光和e光的相位调制量,并且与目标相位调制量相比较取绝对差值,以均方根植作为衡量标准,当均方根值最小值确定该点的高度值。对每个像素点逐点计算,获得所有像素点的高度值。利用该方法实现目标光场偏振态和振幅的调控,不需要复杂的光路,并且用一片结构就可以实现对入射光的不同相位调制,同时衍射效率高。
搜索关键词: 一种 基于 双折射 材料 调制 结构设计 方法
【主权项】:
1.一种基于双折射材料的光场调制结构设计方法,其特征在于:该方法的设计过程包含以下几个步骤:步骤(1)获得目标光场分布;步骤(2)将目标光场分布进行分别为两个相位分布Φ1和Φ2;步骤(3)选择一种双折射材料,其对o光和e光的折射率分别为ne和no;步骤(4)将整个设计区域分为(N,N)个像素;步骤(5)选择第(m,n)个像素点,其中1≤m≤N,1≤n≤N,获得两个相位分布中该像素点的相位值Φ1(m,n)和Φ2(m,n);步骤(6)根据该点的相位值Φ1(m,n)计算获得该点的初始高度值h1(m,n);步骤(7)在h1(m,n)上施加一个高度调制量Δh(m,n),获得此时的高度为h1'(m,n);步骤(8)利用h1'(m,n),计算其分别对应的o光和e光的相位调制量,获得两个相位调制量为Φ1'(m,n)和Φ2'(m,n);步骤(9)将Φ1'(m,n)和Φ2'(m,n)分别与目标相位调制量Φ1(m,n)和Φ2(m,n)相比较取绝对差值,获得等效相位调制量差ΔΦ1'(m,n)和ΔΦ2'(m,n);步骤(10)计算ΔΦ1'(m,n)和ΔΦ2'(m,n)的均方根值RMS(m,n);步骤(11)改变高度调制量Δh(m,n),重复步骤(7)‑(10),直到获得最小的RMS(m,n);步骤(12)选择此时的h1'(m,n)为该像素处的高度值;步骤(13)选择下一个像素点,重复(5)‑(12)步骤,获得所有像素点(N,N)处对应的高度值;步骤(14)设计完成。
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