[发明专利]一种图形化材料的方法在审
| 申请号： | 201710223617.3 | 申请日： | 2017-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN108695141A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 李中天;艾莉森琼列侬 | 申请（专利权）人： | 新南威尔士大学创新公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 张利强 |
| 地址： | 澳大利亚新南威尔士洲悉尼新南威*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于两种化合物发生化学反应而制作图形化的高分子聚合物层的方法。其中一种化合物提供于高分子聚合物层中，另外一种化合物被沉积于高分子聚合物层上，例如，用喷墨打印的方法。这个方法可以被用于制作例如太阳能电池电子器件的金属化图案，集成设备，太阳能电池形成局部掺杂区域等。 | ||
| 搜索关键词： | 高分子聚合物层 太阳能电池 化学反应 金属化图案 图形化材料 电子器件 集成设备 局部掺杂 喷墨打印 图形化 沉积 制作 | ||
【主权项】：
1.一种图形化高分子聚合物层的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一层材料，包含高分子聚合物材料和第一反应物；把第一层的一部分区域暴露在含有第二反应物的复合物中，然后把这层材料暴露在显影溶液中；由于这层材料中的第一反应物和含有第二反应物的复合物中的第二反应物产生反应，暴露区域的化学性质发生了改变，因此，所述暴露区域上的高分子聚合物在显影液中的溶解速度发生了提高或降低。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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