[发明专利]一种硅太阳能电池缺陷的涡流扫查系统在审

专利信息
申请号: 201710217544.7 申请日: 2017-04-05
公开(公告)号: CN106950279A 公开(公告)日: 2017-07-14
发明(设计)人: 何存富;孟繁霖;杨杰明;刘秀成;王楠;吴斌 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: G01N27/90 分类号: G01N27/90
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 代理人: 张慧
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开一种硅太阳能电池缺陷的涡流扫查系统,检测缺陷引起的硅太阳能电池的电各向异性改变情况,以双探头旋转扫查得到的电各向异性分布图或单一涡流直探头的阻抗值为表征信号,对缺陷有无及损伤程度进行判定。扫查系统对硅太阳能电池的扫查方式分两种1)双探头旋转扫查获取硅太阳能电池局部的电各向异性分布图;2)单一涡流直探头对硅太阳能电池进行回折路径或同心圆扫描。扫查过程中,探头检测信号被信号检测模块采集并传输至上位机,进行实时计算和处理后以B扫成像结果进行显示。采用本发明的技术方案,可用于硅太阳能电池缺陷的无损、快速检测,为硅太阳能电池生产质量控制提供有效手段。
搜索关键词: 一种 太阳能电池 缺陷 涡流 系统
【主权项】:
一种硅太阳能电池缺陷的涡流扫查系统,其特征在于,包括两个涡流直探头、四轴运动控制平台、试件旋转模块、信号检测模块和上位机,可工作于两种扫查模式,分别为:采用双探头旋转扫查硅太阳能电池的电各向异性分布图,依据图形是否畸变判定缺陷损伤状态;采用单一涡流直探头沿硅太阳能电池进行回折或同心圆扫查,依据阻抗幅值或相角变化情况判定缺陷损伤状态。
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