[发明专利]一种原位异质形核反应制备定向生长M7

摘要

本发明涉及耐磨涂层领域，特别是一种原位异质形核反应制备定向生长M7C3涂层的制备装置及方法。所述装置包括工件支架，所述支架上设有基板，所述基板上方涂层反应熔池，所述涂层反应熔池两侧设有陶瓷保温板，所述陶瓷保温板上方设有等离子弧枪；所述基板底部设有冷却水槽。所述方法以Cr3C2与Fe‑Ni粉末为原料，按比例混合后装入送粉器，采用CNC同轴自动送粉等离子原位合金工艺制备涂层，涂层两侧用耐高温陶瓷保温，涂层基板从底部强制冷却，获得M7C3定向生长所需的温度梯度，实现定向生长M7C3涂层的制备。本发明采用的Cr3C2可作为初生相M7C3的非匀质形核基底，所以促进了M7C3柱体的形核，缺陷少，抗磨性能更优。

主权项

一种原位异质形核反应制备定向生长M7C3涂层的制备装置，其特征在于：所述装置包括工件支架（2），所述支架（2）上设有基板（1），所述基板（1）上方涂层反应熔池（10），所述涂层反应熔池（10）两侧设有陶瓷保温板（9），所述陶瓷保温板（9）上方设有等离子弧枪（11）；所述基板（1）底部设有冷却水槽（6），所述冷却水槽（6）与进水管（3）连接，所述进水管（3）与水泵（4）连接，所述水泵（4）与制冷机（5）连接，所述制冷机（5）与出水管（7）连接。