[发明专利]一种多晶硅表面蜂巢状结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅表面蜂巢状结构及其制备方法，其中多晶硅表面蜂巢状结构，多晶硅硅片表面有若干个均匀分布的蜂巢状结构，每个蜂巢状结构均为多边形开口，沿多边形开口的每个面均向多晶硅硅片内部倾斜延伸，且沿多边形开口的每个面均为多边形，每个蜂巢状结构的位于多晶硅硅片表面的开口大于其内部的延伸的底面；蜂巢状结构的多边形开口直径为100~1000纳米、垂直深度为50~800纳米；本发明中蜂巢状结构陷光效果更优，光在蜂巢状结构中的反射次数更多，且此大小的结构，可以更好的保证黑硅低反射率的特性且结构中每个面均能更好的覆盖钝化膜，产生更优异的钝化效果，从而改善了多晶太阳电池的电性能，有效提升了电池的转化效率。

主权项

一种多晶硅表面蜂巢状结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将多晶硅硅片置于溶液A中进行清洗，去除多晶硅硅片表面的机械损伤层；所述溶液A按照体积百分比浓度包括：HF 3%~10%、HNO3 15%~38%、DI纯水52%~82%；S2、将清洗好的多晶硅硅片进行黑硅制备，采用金属离子辅助刻蚀法或使用飞秒激光脉冲法或反应离子刻蚀法进行，制备成黑硅硅片；S3、将制备好的黑硅硅片进行浸洗，去除残留金属颗粒；S4、将清洗后的黑硅硅片置于溶液C中进行结构重构，再将重构后的黑硅硅片置于溶液D中进行处理，即可在多晶硅硅片表面制得蜂巢状结构；所述S4中溶液C按照体积百分比浓度包括：HF2%~8%、HNO320%~48%、H2O20%~4%、余量为DI纯水，反应温度为5℃~12℃，反应时间为50s~500s。