[发明专利]一种NAND闪存芯片的测试方法及设备在审
| 申请号： | 201710212514.7 | 申请日： | 2017-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN108665942A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 苏志强;刘会娟;李建新 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种NAND闪存芯片的测试方法及设备。所述方法包括：接收参数测试指令，根据该参数测试指令对NAND闪存芯片中的选定数据块进行参数测试；在所述参数测试的过程中接收编程擦除循环衰减的测试指令，根据该编程擦除循环衰减的测试指令，对所述NAND闪存芯片中除所述选定数据块以外的数据块进行编程擦除循环衰减的测试。针对现有技术中测试时间长、效率低的问题，本发明实施例提供的方法及设备达到了缩短闪存芯片的测试周期、提高测试效率的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 擦除循环 参数测试 测试指令 衰减 编程 测试方法及设备 选定数据 测试 测试效率 测试周期 接收参数 闪存芯片 数据块 指令 | ||
【主权项】：
1.一种NAND闪存芯片的测试方法，其特征在于，所述方法包括：接收参数测试指令，根据该参数测试指令对NAND闪存芯片中的选定数据块进行参数测试；在所述参数测试的过程中接收编程擦除循环衰减的测试指令，根据该编程擦除循环衰减的测试指令，对所述NAND闪存芯片中除所述选定数据块以外的数据块进行编程擦除循环衰减的测试。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京兆易创新科技股份有限公司，未经北京兆易创新科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710212514.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
