[发明专利]一种深紫外LED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710212073.0 | 申请日： | 2017-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN106981548A | 公开（公告）日： | 2017-07-25 |
| 发明（设计）人： | 孙卿;汤磊;罗邵军;杨福华 | 申请（专利权）人： | 中蕊（武汉）光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司42104 | 代理人： | 俞鸿 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市洪山区东湖新*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种深紫外LED外延结构及其制备方法。它包括衬底，所述衬底上生长成核层，成核层上生长缓冲层，所述缓冲层上依次生长有n型AlGaN层、周期性结构AlaGa1‑aN/GaN电流扩展层、周期性结构AlbGa1‑bN/AlcGa1‑cN发光层、周期性结构AlN/AldGa1‑dN阻挡层、周期性结构AleGa1‑eN/GaN阻挡层和p型GaN层；所述AleGa1‑eN/GaN阻挡层8中AleGa1‑eN层为非故意掺杂层，GaN层为掺Mg层。本发明采用周期性结构AleGa1‑eN/GaN阻挡层，AleGa1‑eN为非故意掺杂层，GaN层为Mg掺杂层，利用Mg的记忆效应和空穴的隧穿，顺利将空穴引入发光层，既保证了阻挡层可以将电子限制在发光层中，还保证了阻挡层的晶体质量，发光效率更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种深紫外LED外延结构，其特征在于：包括透明的衬底(1)，所述衬底上生长成核层(2)，成核层上生长缓冲层(3)，所述缓冲层上依次生长有n型AlGaN层(4)、周期性结构AlaGa1‑aN/GaN电流扩展层(5)、周期性结构AlbGa1‑bN/AlcGa1‑cN发光层(6)、周期性结构AlN/AldGa1‑dN阻挡层(7)、周期性结构AleGa1‑eN/GaN阻挡层(8)和p型GaN层(9)；所述AleGa1‑eN/GaN阻挡层(8)中AleGa1‑eN层为非故意掺杂层，GaN层为掺Mg层。
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