[发明专利]一种陡变与绝对温度成正比的基准电路

摘要

本发明公开了一种陡变与绝对温度成正比的基准电路，包括三极管Q2、三极管Q3、电阻R4、电阻R5、电阻R6和放大器，电阻R5、电阻R4分别与放大器A1连接，电阻R5与放大器A1连接，电阻R4与三极管Q2连接，三极管Q2的基极与集电极接地，电阻R6与三极管Q3、放大器A1连接，三极管Q3的集电极与基极接地，电阻R6与放大器A1连接；通过增大电阻R5与电阻R4的比值来改变基准电路的输出。本发明利用三极管的VBE电压随温度增大而变小，利用该电压使常温和低温下的晶体管导通，此时设计基准电路输出电压为零温度系数电压，利用该电压使高温下的晶体管关断，使正温度特性超过负温度特性，则基准电路输出陡变成正温度曲线。

主权项

一种陡变与绝对温度成正比的基准电路，其特征在于：包括第二PNP三极管Q2、第三PNP三极管Q3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6和放大器A1，所述第五电阻R5的一端、第四电阻R4的一端分别与放大器A1的反向输入端连接，第五电阻R5的另一端与放大器A1的输出端连接，第四电阻R4的另一端与第二PNP三极管Q2的发射极连接，第二PNP三极管的基极与集电极接地，第六电阻R6的一端分别与第三PNP三极管Q3的发射极、放大器A1的正向输入端连接，第三PNP三极管Q3的集电极与基极接地，第六电阻R6的另一端与放大器A1的输出端连接；通过增大第五电阻R5与第四电阻R4的比值来改变基准电路的输出VOUT；增大第五电阻R5与第四电阻R4的比值来改变基准电路的输出VOUT通过以下电路实现，该电路包括第一PNP三极管Q1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一整形单元、NMOS管N1和第七电阻R7，所述第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3串联连接，第一电阻R1接电源，第三电阻R3接地；所述第一PNP三极管Q1的发射极与集电极并联于第二电阻R2的两端，第一PNP三极管Q1的基极与集电极连接，第一PNP三极管Q1的集电极与第一整形单元的输入端连接，第一整形单元的输出端与NMOS管N1的栅极连接，NMOS管N1的漏极与放大器A1的反向输入端连接，NMOS管N1的源极与第七电阻R7的一端连接，第七电阻R7的另一端与第二PNP三极管Q2的发射极连接。