[发明专利](V1-xAlx)N/氮化硅复合涂层有效

专利信息
申请号: 201710202396.1 申请日: 2017-03-30
公开(公告)号: CN106978594B 公开(公告)日: 2019-05-10
发明(设计)人: 岳建岭;李淼磊;黄小忠;王恩青 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/06
代理公司: 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 代理人: 张伟;魏娟
地址: 410083 湖南*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种(V1‑xAlx)N/氮化硅纳米多层涂层及其制备方法,属于硬质陶瓷涂层领域;(V1‑xAlx)N/Si3N4纳米多层涂层由(V1‑xAlx)N纳米薄层和Si3N4纳米薄层反复交替叠加构成,其制备方法是,将基体表面抛光处理后,在真空室内通入Ar气和N2气,其中反应气体N2气压强为0.01~0.5Pa,溅射气体Ar压强为0.3~0.9Pa,采用双靶射频反应溅射方法在所述基体表面反复交替沉积(V1‑xAlx)N纳米薄层和Si3N4纳米薄层,即得;制备的(V1‑xAlx)N/Si3N4纳米多层涂层不但具有优良的摩擦性能和高温稳定性,而且具有高于40GPa的硬度和低于0.4的摩擦系数,可以广泛作为高速切削刀具及其它在高温条件下服役耐磨工件的涂层。
搜索关键词: v1 xalx 氮化 复合 涂层
【主权项】:
1.一种(V1‑xAlx)N/Si3N4纳米多层涂层,其特征在于:由(V1‑xAlx)N纳米薄层和Si3N4纳米薄层反复交替叠加构成,其中,x为0.4~0.59;所述(V1‑xAlx)N纳米薄层与所述Si3N4纳米薄层之间的界面具有共格生长结构;单层(V1‑xAlx)N纳米薄层的厚度为2~8nm;单层Si3N4纳米薄层的厚度为0.3~2nm。
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